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硅基光芯片
推荐产品:
硅基光芯片
四川梓冠光电生产制造的硅基光芯片依托18项专利技术(含7项发明专利),质量评级为:军工级元器件,具有多通道、高集成度芯片化、高速响应、高串扰的特点,主要应用于光纤传感、光纤通信、光网络监控与保护、激光器雷达系统、光子系统等领域。可提供裸片或光电一体化封装产品方案。
SOI高速光开关1x8
2025-08-01
SOI高速光开关1x8波长1530-1565nm、插损≤8db、开关速度<200ns
产品描述
SOI高速光开关1x8具有多通道、高集成度芯片化、高速响应、高串扰的特点,主要应用于光纤传感、光纤通信、光网络监控与保护、激光器雷达等领域
SOI高速光开关阵列
2025-08-01
SOI高速光开关阵列
产品描述
SOI高速光开关阵列具有多通道,高集成度芯片化,高速响应的特性,主要应用于光纤传感,光纤通信,光网络监控与保护等领域
SOI高速多通道光衰减器
2025-08-01
SOI高速多通道光衰减器波长范围1530-1570nm或1270-1330nm
产品描述
SOI芯片式多通道可调光衰减器具有多通道,高集成度芯片化,高速响应的特性,主要应用于光纤传感,光纤通信,光网络监控与保护等领域
SOI芯片光延时线
2025-08-01
SOI芯片光延时线波长范围1530nm-1570nm or 1270nm-1330nm
产品描述
SOI芯片光延时线具有多通道、高集成度芯片化、高速响应等特点,主要应用于光纤传感、光纤通信、激光雷达等领域
SOI芯片偏振控制器-开关阵列
2025-08-01
SOI芯片偏振控制器-开关阵列波长范围1530nm-1570nm or 1270nm-1330nm
产品描述
SOI芯片偏振控制器-开关阵列具有多通道、高度集成度芯片化、高速响应等特点,主要应用于光纤传感、光纤通信、激光雷达等领域
SOI芯片光电探测器-混频光电探测器阵列
2025-08-01
SOI芯片光电探测器阵列波长范围:1530-1570nm或1270-1330nm
产品描述
SOI芯片式光电探测器阵列具有多通道,高集成度芯片化,大模拟带宽等特性,主要应用于光纤传感,光纤通信,激光雷达等领域
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硅基单片集成 9bit 可调光延迟线芯片
硅基单片集成 7bit 可调光延时器芯片
单片集成 6 比特光延时芯片
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